E-Book, Deutsch, Band 27, 92 Seiten, eBook
J. Wosnik Transistoren bei großer Aussteuerung
1963
ISBN: 978-3-663-04362-1
Verlag: Vieweg & Teubner
Format: PDF
Kopierschutz: 1 - PDF Watermark
E-Book, Deutsch, Band 27, 92 Seiten, eBook
Reihe: Nachrichtentechnische Fachberichte
ISBN: 978-3-663-04362-1
Verlag: Vieweg & Teubner
Format: PDF
Kopierschutz: 1 - PDF Watermark
Der Fachtagung "Transistoren bei großer Aussteuerung", die vom Fachausschuß 3 "Halbleiter" der Nachrichtentechnischen Gesellchaft im VDE (NTG) vom 10. bis 13. April 1962 in Aachen veranstaltet wurde, ging eine Diskussionssitzung des Fachausschusses in Hamburg voraus, die ein so starkes Interesse erweckte, daß es dem Fachausschuß richtig erschien, die Hamburger Referate einem größeren Kreis, insbesondere unseren NTG-Mitgliedern, zugänglich zu machen. Das Vortrags programm wurde dann allerdings weitgehend umgestaltet und vor allem durch übersichtsvorträge von R. Wiesner, von W. Engbertund von H. P. Kleinknecht abgerundet. Selbstverständlich sollten die Aachener Vorträge möglichst rasch veröffentlicht werden. Durch die verständnisvolle Unterstüzung, die wir bei Herausgeber und Verlag der NTZ fanden, konn ten alle Vorträge in vier aufeinander folgenden Heften der NTZ (Juli bis Oktober 1962) er scheinen. In dem vorliegenden Band sind diese Aufsätze nochmals zusammengefaßt. Der Vortrag von F. Weitzsch, der ausführlich schon im Archiv für el. übertragung 16 (1962), 5.335-343 er schien, ist durch ein Referat vertreten; der Vortrag von D. Gossel wurde in erweiterter Form gebracht. So können wir hoffen, allen Wünschen unserer Fachkollegen und interessierten Leser gerecht geworden zu sein.
Zielgruppe
Research
Autoren/Hrsg.
Weitere Infos & Material
Das Verhalten des Transistors bei großer Aussteuerung.- Effekte in Mesatransistoren bei großer Stromdichte.- Vergleich von Verstärker- und Schalttransistoren.- Zur Frage der Sperrschichtberührung bei Transistoren.- Der Transistor als ladungsgesteuertes Bauelement.- Die Kenndaten des Schalttransistors.- Meßverfahren für Großsignal-Kenngrößen.- Sperrschichttemperaturen von Halbleiterbauelementen bei Impulsbetrieb.- Wärmeprobleme bei Transistoren im Impulsbetrieb.- Der Mitlaufeffekt und das thermische Ersatzschaltbild.- Multivibratorschaltungen mit Transistoren für extrem große kontinuierlich steuerbare Frequenzvariation.- Großsignalsinusverhalten von Legierungstransistoren bei hohen Frequenzen.- Transistorverstärker mit Impulsanstiegszeiten von weniger als 5 ns.
