Marek / Pobegen / Grossner | Defects and Synchrotron X-Ray Topography in Silicone-Carbide Based Devices | Buch | 978-3-0364-0332-8 | sack.de

Buch, Englisch, 152 Seiten, Format (B × H): 170 mm x 240 mm, Gewicht: 400 g

Marek / Pobegen / Grossner

Defects and Synchrotron X-Ray Topography in Silicone-Carbide Based Devices


Buch, Englisch, 152 Seiten, Format (B × H): 170 mm x 240 mm, Gewicht: 400 g

ISBN: 978-3-0364-0332-8
Verlag: Trans Tech Publications

The presented special edition is devoted to the latest research in semiconductor materials and devices on silicon carbide and the design and research of machines and equipment. This issue will be helpful to specialists engaged in the design and production of power electronics and to mechanical engineers.
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Autoren/Hrsg.

Marek, Juraj
Pobegen, Gregor
Grossner, Ulrike

Fachgebiete

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