Buch, Deutsch, Band 134, 154 Seiten, Paperback, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 254 g
Reihe: Sammlung Vieweg
Buch, Deutsch, Band 134, 154 Seiten, Paperback, Format (B × H): 155 mm x 235 mm, Gewicht: 254 g
Reihe: Sammlung Vieweg
ISBN: 978-3-663-01955-8
Verlag: Vieweg+Teubner Verlag
2. Linearisiertes Kennlinienfeld eines Transistors 3 2. 1 Definition eines linearisierten Kennlinienfeldes 3 2. 2 Slittigungsbedingungen 5 2. 3 Die Grundschaltungen eines Transistors 6 2. 3. 1 Die Kollektorgrundschaltung 6 2. 3. 2 Die Emittergrundschaltung 7 2. 3. 3 Kombination aus Emitter- und Kollektorgrundschaltung 8 3. Theoretische Grundlagen 9 3. 1 Das Grof>signalverhalten von Schaltungen mit zwei Transistoren, die miteinander verkoppelt sind 9 3. 2 Die Zeitabhlingigkeit des Schaltprozesses 13 3. 3 Autonome und nichtautonome Schalter 15 3. 4 Das Verhalten von Transister Tl 16 3. 5 Spannungsschalter mit zwei Transistoren vom selben Typ 17 3. 6 Spannungsschalter mit zwei Transistoren von verschiedenen Typen 19 Der Schmitt-Trigger 20 4. 4. 1 Zerlegung eines Schmitt-Triggers in zwei Teilschaltungen 20 4. 1. 1 Berechnung von Teilschaltung I 22 4. 1. 2 Berechnung von Teilschaltung II 24 4. 2 Das Schaltverhalten des Schmitt-Triggers 25 4. 2. 1 Das Schaltverhalten bei steigendem IBI bzw. steigendem V 25 4. 2. 1. 1 IBrBetrieb 25 -Betrieb 4. 2. 1. 2 V 35 Verhalten nach erfoigter Schaltung 4. 2. 2 41 4. 2. 3 Das Schaltverhalten bei fallendem IBI bzw. fallendem V 43 4. 2. 3. 1 IB I-Betrieb 43 -Betrieb 4. 2. 3. 2 V 44 4. 2. 4 Mehrfachschaltungen eines einzelnen Triggers 45 4. 2. 5 Zusammenfassung der Betriebsarten des Schmitt-Triggers 46 4. 2. 5. 1 IBrBetrieb 46 4. 2. 5. 2 Va -Betrieb 47 4. 2. 5.
Zielgruppe
Research
Autoren/Hrsg.
Weitere Infos & Material
1. Einleitung.- 2. Linearisiertes Kennlinienfeld eines Transistors.- 3. Theoretische Grundlagen.- 4. Der Schmitt-Trigger.- 5. Trigger mit zwei komplementären Transistoren.- Anhang I: Halbleiter-Bauelemente als Spannungsschalter.- A1 Die Tunneldiode.- A2 Der Unijunction-Transistor.- A3 Die Vierschichtdiode.- Anhang II: Erhöhung des Eingangswiderstands bei Spannungsschaltern mit zwei Transistoren durch Feld-Effekt-Transistoren.- Literatur.