Rudolph / Fager / Root | Nonlinear Transistor Model Parameter Extraction Techniques | Buch | 978-0-521-76210-6 | sack.de

Buch, Englisch, 366 Seiten, Format (B × H): 175 mm x 249 mm, Gewicht: 862 g

Rudolph / Fager / Root

Nonlinear Transistor Model Parameter Extraction Techniques


Erscheinungsjahr 2011
ISBN: 978-0-521-76210-6
Verlag: Cambridge University Press

Buch, Englisch, 366 Seiten, Format (B × H): 175 mm x 249 mm, Gewicht: 862 g

ISBN: 978-0-521-76210-6
Verlag: Cambridge University Press

Rudolph / Fager / Root Nonlinear Transistor Model Parameter Extraction Techniques jetzt bestellen!

Autoren/Hrsg.

Rudolph, Matthias
Fager, Christian
Root, David E
Ihre Fragen, Wünsche oder Anmerkungen
Vorname*
Nachname*
Ihre E-Mail-Adresse*
Kundennr.
Ihre Nachricht*
Lediglich mit * gekennzeichnete Felder sind Pflichtfelder.
Wenn Sie die im Kontaktformular eingegebenen Daten durch Klick auf den nachfolgenden Button übersenden, erklären Sie sich damit einverstanden, dass wir Ihr Angaben für die Beantwortung Ihrer Anfrage verwenden. Selbstverständlich werden Ihre Daten vertraulich behandelt und nicht an Dritte weitergegeben. Sie können der Verwendung Ihrer Daten jederzeit widersprechen. Das Datenhandling bei Sack Fachmedien erklären wir Ihnen in unserer Datenschutzerklärung.