Buch, Deutsch, Band 23, 429 Seiten, HC runder Rücken kaschiert, Format (B × H): 160 mm x 241 mm, Gewicht: 834 g
Reihe: Halbleiter-Elektronik
Buch, Deutsch, Band 23, 429 Seiten, HC runder Rücken kaschiert, Format (B × H): 160 mm x 241 mm, Gewicht: 834 g
Reihe: Halbleiter-Elektronik
ISBN: 978-3-540-23437-1
Verlag: Springer Berlin Heidelberg
Das Buch beschreibt die Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente für Logikanwendungen (CMOS), Speicheranwendungen (DRAM, SRAM, EEPROM) und leistungselektronische Anwendungen. Der Autor untersucht die Quellen, die in den vergangenen 30 Jahren diskutiert wurden. Er beschreibt, wie die einzelnen Konzepte technologisch umgesetzt wurden und geht auf die Vor- und Nachteile der Konzepte ein. Er erläutert die Funktionsweise und Charakteristiken der elektronischen Bauelemente, die mit dem jeweiligen Konzept realisiert wurden.
Das Buch ist besonders geeignet für Ingenieure und Physiker, die sich mit neuartigen bzw. alternativen Bauelementarchitekturen und deren Entwicklung beschäftigen.
Zielgruppe
Research
Autoren/Hrsg.
Fachgebiete
- Technische Wissenschaften Elektronik | Nachrichtentechnik Elektronik Bauelemente, Schaltkreise
- Technische Wissenschaften Maschinenbau | Werkstoffkunde Technische Mechanik | Werkstoffkunde Materialwissenschaft: Elektronik, Optik
- Technische Wissenschaften Elektronik | Nachrichtentechnik Elektronik Halb- und Supraleitertechnologie
- Technische Wissenschaften Energietechnik | Elektrotechnik Elektrotechnik
Weitere Infos & Material
Logik- und Speicherstrukturen und prinzipielles MOSFET-Verhalten.- Konzepte der CMOS-Logik und HF-Technologie.- Auf vertikalen bzw. quasivertikalen Transistoren basierende Speicher.- Vertikal- und Quasivertikalkonzepte Siliziumbasierter Leistungs-MOSFETs.
