Sige, Gaas, and Inp Heterojunction Bipolar Transistors

Neuausgabe 1999
ISBN: 978-0-471-19746-1
Verlag: WILEY

Buch, Englisch, 488 Seiten, Format (B × H): 165 mm x 244 mm, Gewicht: 780 g

Reihe: Wiley Series in Microwave and Optical Engineering

HBT-Transistoren sind spezialisierte Bauelemente, die insbesondere zur Herstellung von Hochfrequenzschaltkreisen für Mobiltelephonie und Radarsysteme verwendet werden. Die erforderliche Ausdehnung des Frequenzbereiches auf Mikrowellen läßt sich nicht mit der herkömmlichen Silicium-Technologie, sondern nur mit moderneren Materialien wie SiGe und GaAs erreichen. Dieser Band behandelt alle wesentlichen Aspekte der Fertigung, Analyse und Testung von HBT-Elementen, wobei auch Fragen der Zuverlässigkeit und der Funktionsweise bei sehr hohen oder tiefen Temperaturen zur Sprache kommen. Mit über 300 informativen Abbildungen. (04/99)

Autoren/Hrsg.

Yuan, Jiann S.

Fachgebiete

• Technische Wissenschaften Elektronik | Nachrichtentechnik Elektronik Halb- und Supraleitertechnologie
• Technische Wissenschaften Maschinenbau | Werkstoffkunde Technische Mechanik | Werkstoffkunde Werkstoffprüfung
• Naturwissenschaften Physik Elektromagnetismus Halbleiter- und Supraleiterphysik

Inhaltsverzeichnis

Material Properties and Technologies.

DC Performance.

RF and Transient Performance.

HBT Modeling.

Heterojunction Device Simulation.

Breakdown and Thermal Instability.

Reliability.

RF and Digital Circuits for Low-Voltage Applications.

Index.

Über Autor(innen)

JIANN S. YUAN, PhD, is Associate Professor of Electrical Engineering at the University of Central Florida. Widely published in the area of HBT technology, Dr. Yuan is also the author of Semiconductor Device Physics, Simulation, and Analysis.