Wohlbier | Ion Implantation 1988 | Sonstiges | 978-3-03859-609-7 | sack.de

Sonstiges, Englisch, 472 Seiten, Format (B × H): 125 mm x 142 mm, Gewicht: 200 g

Wohlbier

Ion Implantation 1988


Erscheinungsjahr 1988
ISBN: 978-3-03859-609-7
Verlag: Trans Tech Publications

Sonstiges, Englisch, 472 Seiten, Format (B × H): 125 mm x 142 mm, Gewicht: 200 g

ISBN: 978-3-03859-609-7
Verlag: Trans Tech Publications


The volume presents 24 invited contributions.
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Weitere Infos & Material


Diffusion in Collision Cascades: a Thermodynamic ViewpointSimulations of Damage Induced by Ion Bombardment: A ReviewThe Production of Periodic Surface Features by Sputtering and Related ProcessesDistributions of Implanted Ions in SolidsThe Application of TEM and THDS to the Study of Helium-Vacancy Cluster Growth and Helium-Dislocation Interactions in MetalsThe Role of Bombardment Induced Defects in the Initiation of Topography on Ion Bombarded F.C.C. MetalsMicrostructure Control in Surface Modified Materials Using Prototype SystemsMicrostructures in Ion Implanted TitaniumAmorphisation of Metals by Ion Implantation and Ion Beam MixingThermal Oxidation of Ion-Implanted MetalsHelium Bubbles in Metals Studied by Positron TechniquesThermal Spike Regime during Ion Implantation: New AspectsIon-Implantation Induced Phase Transitions as Studied by M?ssbauer SpectroscopyIon Implantation Induced Martensitic Transformations in MetalsComposite Surface Layer Formation Produced by Low Energy Cs+ Bombardment on: Be, Mo, & WNitrogen Implantation in Iron and SteelsIon Implantation in Stainless Steels: Microstructures and Mechanical PropertiesThe Mechanical Properties of Ion Implanted Ceramics - A ReviewModification of the Refractory Metal Silicides Surface Induced by Low Energy Ion BombardmentHighly Energetic Heavy Ion Irradiation Effects in FerritesDefect Production in Alkali Halide Crystals by Ion ImplantationRadiation Damage in Nb/Nb Oxide/PbAuIn Josephson Tunnel Junctions due to Ion ImplantationIon Implantation in Oxides on SiliconDefects and Doping Effects in CdTe and CuInS2 by Phosphorus Ion Implantation and Pulsed Electron Beam Annealing


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