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Chauhan / Pampori / Ahsan GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics
Using The ASM-HEMT ModelErscheinungsjahr 2024Verlag: William Andrew PublishingISBN: 978-0-323-99871-0Medium: BuchLieferzeit ca. 10 Werktage -
Chauhan / Pampori / Ahsan GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics
Using The ASM-HEMT Model1. Auflage 2024Verlag: Elsevier Science & Techn.ISBN: 978-0-323-99940-3Medium: eBookFormat: EPUB
Kopierschutz: 6 - ePub Watermark190,00 € (inkl. MwSt.)
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