Hanaizumi | Means and Methods for Measurement and Monitoring | Sonstiges | 978-3-0357-2553-7 | sack.de

Sonstiges, Englisch, Band Volume 888, 108 Seiten, Format (B × H): 125 mm x 142 mm, Gewicht: 200 g

Reihe: Applied Mechanics and Materials

Hanaizumi

Means and Methods for Measurement and Monitoring


Supplement Book to Advanced Micro-Device Engineering VIII

Sonstiges, Englisch, Band Volume 888, 108 Seiten, Format (B × H): 125 mm x 142 mm, Gewicht: 200 g

Reihe: Applied Mechanics and Materials

ISBN: 978-3-0357-2553-7
Verlag: Trans Tech Publications

This special issue is the supplement book to proceedings of the 8th International Conference on Advanced Micro-Device Engineering (AMDE 2016) organized by the Human Resource Cultivation Center, Gunma University, held on 9 December 2016 in Kiryu, Japan. Thematic area of this volume is "Measurement and System technology"
Hanaizumi Means and Methods for Measurement and Monitoring jetzt bestellen!

Autoren/Hrsg.

Hanaizumi, Osamu

Fachgebiete

Weitere Infos & Material

Analysis and Design of Operational Amplifier Stability Using Routh-Hurwitz Stability CriterionEffect of Phase Error in Phase-Shifting InterferometerComparator Synthesis Using Distributed Genetic Algorithm and HSPICE OptimizationRC Polyphase Filter as Complex Analog Hilbert FilterRehabilitation Assistance Using Motion Capture Devices and Virtual Reality FeedbackDetermination of Phase Shift by Digital HolographyNoise Filter for Surface Shape Measurement in Digital HolographyHigh-Frequency Low-Distortion One-Tone and Two-Tone Signal Generation Using Arbitrary Waveform GeneratorMulti-Valued PAM-N Data Transmission Using Double-Rate Tomlinson-Harashima PrecodingA Torque-Sensorless Viscometer for Food Processing ApplicationsEffect of Mass Added to a Force Transducer on the Dynamic-Force Correction MethodAnother Implementation of Efficient Recoding Circuit for Signed Digit to Residue Canonical Signed Digit on Modulo 2n-1Electron Density Measurement Using Multi-Energy X-Rays from a Conventional Laboratory X-Ray SourceA Study on Physically Based Maximum Electric Field Modeling Used for HCI Induced Degradation Characteristic of LDMOS

Ed. Osamu Hanaizumi

Ihre Fragen, Wünsche oder Anmerkungen
Vorname*
Nachname*
Ihre E-Mail-Adresse*
Kundennr.
Ihre Nachricht*
Lediglich mit * gekennzeichnete Felder sind Pflichtfelder.
Wenn Sie die im Kontaktformular eingegebenen Daten durch Klick auf den nachfolgenden Button übersenden, erklären Sie sich damit einverstanden, dass wir Ihr Angaben für die Beantwortung Ihrer Anfrage verwenden. Selbstverständlich werden Ihre Daten vertraulich behandelt und nicht an Dritte weitergegeben. Sie können der Verwendung Ihrer Daten jederzeit widersprechen. Das Datenhandling bei Sack Fachmedien erklären wir Ihnen in unserer Datenschutzerklärung.